Este artículo revisa el trabajo realizado por los autores durante los últimos años sobre lámina delgada y ultra-delgada ferroeléctrica preparada mediante el depósito químico de disoluciones (CSD) sobre substratos de silicio. Las películas ferroeléctricas integradas con silicio tienen potenciales usos en los nuevos dispositivos micro/nanoelectrónicos. Dos aspectos claves son aquí considerados: 1) el uso de bajas temperaturas de procesado de la lámina ferroeléctrica, con el fin de no dañar los diferentes elementos que forman la heteroestructura del dispositivo y 2) la disminución de tamaño del material ferroeléctrico con el fin de conseguir las altas densidades de integración requeridas en la próxima generación de dispositivos nanoelectróncos. Los procesos térmicos rápidos asistidos con irradiación UV se están usando en nuestro laboratorio para conseguir la fabricación del material ferroeléctrico a temperaturas bajas compatibles con la tecnología del silicio. Se muestran resultados preliminares sobre estructuras ferroeléctricas nanométricas preparadas por CSD.
Relación estructura-propiedades y estudios espectroscópicos de vidrios de óxido BaO-B2O3 que contienen ZnO para aplicaciones ópticas
En el presente trabajo se prepararon muestras de vidrios de óxido de borato de bario que contienen diferentes proporciones molares de ZnO,
