Se presenta un estudio mediante Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM) y Fotoluminiscencia (PL) de espesores críticos de epicapa (CLT) en pozos cuánticos simples de InGaAs/GaAs crecidos sobre substratos de GaAs con orientaciones (001) y (111)B. Los resultados obtenidos demuestran que la disminución de la señal luminiscente del espectro de PL se debe a distintos mecanismos de relajación para cada orientación de sustrato. Así, en sustratos orientados (001), el CLT viene definido por la transición desde un frente de crecimiento plano (2D) a otro ondulado (3D). Sin embargo, la relajación plástica debida a una red de dislocaciones de desajuste (DD) determina el CLT en sustratos orientados (111)B. El análisis por TEM de esta red de dislocaciones muestra la existencia de una nueva configuración de DD distinta a la anteriormente descrita en la bibliografía. La nueva configuración observada permite explicar los resultados experimentales obtenidos para el caso de SQW de InGaAs/GaAs (111)B utilizando los modelos clásicos de CLT de formación de la primera DD.
Relación estructura-propiedades y estudios espectroscópicos de vidrios de óxido BaO-B2O3 que contienen ZnO para aplicaciones ópticas
En el presente trabajo se prepararon muestras de vidrios de óxido de borato de bario que contienen diferentes proporciones molares de ZnO,
