Determinación de parámetros cinéticos por la técnica calorimétrica de barrido único. Aplicación a la cristalización no isoterma de la aleación Sb0.12As0.40Se0.48

Se ha desarrollado un procedimiento para analizar la evolución temporal de la fracción cristalizada y calcular los parámetros cinéticos de reacciones no isotermas que implican la formación y crecimiento de núcleos. Considerando las hipótesis de volumen extendido y nucleación al azar, se ha obtenido una expresión general de la fracción transformada como función del tiempo en procesos de cristalización isotermos. La velocidad de cristalización deducida se ha aplicado a procesos no isotermos bajo la restricción de nucleación al principio de la transformación y que se anula posteriormente. En estas condiciones, se han deducido los parámetros cinéticos usando la técnica de barrido único. El método teórico desarrollado se ha aplicado a la cristalización de la aleación semiconductora Sb0.12As0.40Se0.48. Los parámetros cinéticos obtenidos difieren alrededor del 6% de los calculados por técnicas de barrido múltiple, lo que confirma la fiabilidad y exactitud de la técnica de barrido único cuando se calculan los mencionados parámetros en procesos no isotermos.

Compartir:

Más artículos