Actualmente, la técnica de CVD está siendo utilizada en la síntesis de una gran variedad de compuestos cerámicos, generalmente en forma de capa delgada. La técnica, desarrollada inicialmente para su aplicación en microelectrónica, ha sido después utilizada con éxito en otras áreas de gran actividad científica y tecnológica (recubrimientos duros, dispositivos optoelectrónicos, materiales superconductores, etc.). Entre las características más positivas de las técnicas de CVD, cabe destacar la obtención de depósitos homogéneos a temperaturas relativamente bajas, sobre todo cuando la activación de los reactivos se efectúa con plasma o con fotones. La técnica permite además sintetizar nuevos productos que no es posible sintetizar por otras vías. Esta característica abre la puerta hacia la síntesis de productos, con propiedades muy específicas de dureza, estabilidad, etc. La presentación se centrará en las diversas aplicaciones de la técnica de CVD, de las que interesa destacar la preparación de capas de carbono cristalino o amorfo (películas de diamante o cuasi-diamante) partiendo de una mezcla de metano e hidrógeno activada mediante un plasma. Así mismo, se revisará la obtención de recubrimientos de nitruro de boro con diferente estequiometría dependiendo de las condiciones del proceso. Finalmente, se discuten los condiciones experimentales requeridas para la deposición de nuevos compuestos ternarios dentro del sistema Si-B-C-N (p.e. CBN, SiBN). Estos materiales ternarios pueden presentar propiedades muy diferentes dependiendo de su composición. Por tanto, mediante la elección adecuada de los parámetros experimentales, que determinan la composición y estructura del depósito, es posible conseguir la formación de un material con unas características prefijadas.
Relación estructura-propiedades y estudios espectroscópicos de vidrios de óxido BaO-B2O3 que contienen ZnO para aplicaciones ópticas
En el presente trabajo se prepararon muestras de vidrios de óxido de borato de bario que contienen diferentes proporciones molares de ZnO,