Se ha diseñado un dispositivo de memoria para la grabación y lectura de información basado en el efecto de la anisotropía magnetorresistiva de una multicapa fabricada por sputtering mediante diodo de rf. El elemento de memoria se compone de tres películas delgadas, de composición Fe15Co20Ni65(160Å)/ TiN(50Å)/Fe15Co20Ni65(160Å). El dispositivo permite procesos de grabación y lectura estables, y se compone de 32 elementos de memoria rectangulares por columna, donde cada elemento tiene dimensiones de μm lo que permite la fabricación de memorias integradas con capacidades del orden de 106 bits. Se han ensayado elementos de memoria rectangulares de diferentes tamaños, con las esquinas redondeadas con objeto de conseguir procesos de lectura-escritura lo más estable posible. Se han analizado comparativamente los efectos de magnetorresistencia y magnetoimpedancia de los elementos de memoria de diferentes dimensiones. Sugerimos que la disminución del valor absoluto de la magnetoimpedancia del elemento de memoria es consecuencia de la reducción de la parte real, de origen magnetorresistivo.
Relación estructura-propiedades y estudios espectroscópicos de vidrios de óxido BaO-B2O3 que contienen ZnO para aplicaciones ópticas
En el presente trabajo se prepararon muestras de vidrios de óxido de borato de bario que contienen diferentes proporciones molares de ZnO,
