La técnica de deposición química en fase de vapor (CVD) permite la onteiición de materiales cerámicos de gran pureza, a partir de una mezcla de gases reactivos. La deposición de stos materiales por CVD se ha realizado en un reactor tubular de cuarzo situado en el interior de un horno capaz de alcanzar una temperatura de 1.000°C en la zona de reacción. El material cerámico en forma de polvo se obtiene por reacción homogénea en fase gaseosa a alta temperatura, la cual compite con la reacción heterogénea de formación de recubrimientos cerámicos sobre una superfície a temperatura elevada. Se ha estudiado el proceso de formación de nitruro de silicio con fínes cerámicos, a partir de silano (Si H4), amoníaco (NH3) y nitrógeno (N2) como gas portador. El aumento de la temperatura del proceso así como la utilización de fijos elevados producen un incremento en la velocidad de formación de nitruro de silicio. La presión de los gases en el interior del reactor es el factor decisivo en el control de los posibles mecanismos de reacción favoreciendo la reacción de formación de polvos cerámicos en fase gaseosa o bien la de formación de recubrimientos sobre un sustrato de silicio situado en la zona de temperatura elevada.
Relación estructura-propiedades y estudios espectroscópicos de vidrios de óxido BaO-B2O3 que contienen ZnO para aplicaciones ópticas
En el presente trabajo se prepararon muestras de vidrios de óxido de borato de bario que contienen diferentes proporciones molares de ZnO,
