Presentamos medidas de dos tipos de anisotropía magnetorresistiva (AMR) en un film epitaxial de Lag yCag 3Mn03 usando bajos campos magnéticos (hasta 0’6 T). Primero medimos la magnetorresistencia con el campo magnético aplicado paralelo al plano del film y perpendicular al plano del film. Después, con el plano del film paralelo al campo magnético, medimos la MR cuando la direc-ción de la corriente inyectada es paralela y perpendicular al campo magnético aplicado. Las medidas se han realizado a tres tem-peraturas diferentes alrededor de la del pico de la resistividad (T =250 K). Las diferencias encontradas en la MR respecto al plano del film, pueden ser fácilmente explicadas a partir de la diferencia en el factor desmagnetizante del film en las dos orientaciones consideradas. De las medidas de la AMR respecto a la corriente inyectada, observamos que su amplitud es -6% a 0’5 T, indepen-diente de la temperatura y ligeramente decreciente con el campo magnético. Explicamos este efecto suponiendo que el paso de los electrones entre dos átomos adyacentes de Mn polarizados es más fácil cuando la polarización es paralela al movimiento de dichos electrones.
Relación estructura-propiedades y estudios espectroscópicos de vidrios de óxido BaO-B2O3 que contienen ZnO para aplicaciones ópticas
En el presente trabajo se prepararon muestras de vidrios de óxido de borato de bario que contienen diferentes proporciones molares de ZnO,
