Se han estudiado las propiedades dieléctricas de los materiales cerámicos Bi4Ti3 O12 (BIT), PbBi4Ti4 O15 (PBIT), Pb2Bi4Ti5 O18 (P2BIT), Pb3Bi4Ti6O21 (P3BIT) en muestras no texturadas y texturadas. Estos compuestos pertenecen a la familia Aurivillius de compuestos laminares de bismuto, y en el presente caso el factor de integración m toma los valores de 3, 4, 5 y 6 respectivamente. Los resultados muestran un claro efecto de la texturación en la constante dieléctrica de los materiales analizados, obteniéndose variaciones de un orden de magnitud entre las dos direcciones del campo eléctrico aplicado. Se observa una variación de la temperatura de Curie de la muestra texturada respecto a la no orientada en compuestos con m par. Además, la temperatura de Curie decrece con el aumento de m. Un comportamiento claramente relaxor aparece en los materiales P2BIT y P3BIT, con los valores máximos de constante dieléctrica ubicados a ~270 y ~225 ºC respectivamente, temperaturas que, comparadas con la de 140ºC del compuesto relaxor PZN, abren perspectivas de aplicación de estos materiales en piezoeléctricos inducidos de alta temperatura.
Relación estructura-propiedades y estudios espectroscópicos de vidrios de óxido BaO-B2O3 que contienen ZnO para aplicaciones ópticas
En el presente trabajo se prepararon muestras de vidrios de óxido de borato de bario que contienen diferentes proporciones molares de ZnO,
