En este trabajo se presenta un estudio de las propiedades opticas, estructura de enlaces, estructura de defectos y composición, de láminas delgadas de SiN^:H y SiO^ depositadas mediante la técnica de depósito químico en fase vapor excitada por resonancia ciclotrónica de electrones. Se realiza un estudio detallado de la influencia de las variables de depósito (potencia de microondas, relación de flujos y temperatura de depósito) sobre las propiedades mencionadas, por el que se concluye que es posible obtener láminas de SÍN^ÍH con cocientes [N]/[Si] desde 0.25 a 1.49, con un contenido de hidrógeno inferior al 10 %at., a una temperatura de depósito nunca por encima de 200-C. Asimismo, se presenta un estudio sobre estructuras del tipo metal-aislante-semiconductor fabricadas sobre sustratos semiconductores de Si e InP.
Relación estructura-propiedades y estudios espectroscópicos de vidrios de óxido BaO-B2O3 que contienen ZnO para aplicaciones ópticas
En el presente trabajo se prepararon muestras de vidrios de óxido de borato de bario que contienen diferentes proporciones molares de ZnO,
