Se presentan la fabricación y caracterización de capas delgadas de carburo de silicio (SiC) obtenidas mediante deposición química de vapores por elevación rápida de la temperatura (RTCVD). El proceso de carburización se lleva a cabo utilizando una mezcla de H2 y C3H8 como único gas precursor de C. Se carburizaron trozos de obleas de Si (001) a presión atmosférica y Si (111) y (001) en condiciones de vacío. Se han utilizado técnicas de microscopía electrónica de barrido (SEM), microscopía electrónica de transmisión convencional (CTEM), de alta resolución (HREM) y de difracción de electrones (TED) así como espectroscopía de infra-rojos por transformada de Fourier en su variante de reflectividad (R-FTIR) para el estudio de la composición y estructura de las capas delgadas obtenidas. Estas capas consisten mayoritariamente en 3C-SiC altamente orientado sobre el sustrato.
Relación estructura-propiedades y estudios espectroscópicos de vidrios de óxido BaO-B2O3 que contienen ZnO para aplicaciones ópticas
En el presente trabajo se prepararon muestras de vidrios de óxido de borato de bario que contienen diferentes proporciones molares de ZnO,
