Depósito mediante ablación con láser de láminas delgadas de (Pb,La) TiO3 y ZnO sobre (100) InP

Se ha estudiado el proceso de depósito mediante ablación con láser de láminas delgadas de PbTiO3 modificado con La (PLT) y ZnO sobre (100)InP. Para el PLT se han depositado láminas intermedias de óxidos dieléctricos (CeO2, ZrO2, SrO, YSZ, MgO, y SrTiO3) necesarias para la protección de la superficie del substrato. En cada caso se han establecido las condiciones experimentales (presión de oxígeno, temperatura del substrato, densidad de energía del pulso láser y limpieza de la superficie del substrato) necesarias para obtener láminas cristalinas con orientación preferente. En la heteroestructura PLT/YSZ/(100)InP se estudian los cambios de composición y morfología a lo largo del perfil  de la heteroestructura, a fin de investigar los procesos involucrados en el crecimiento de estos óxidos sobre el (100)InP.

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