Caracterización estructural mediante elipsometría espectral de multicapas basadas en SiO2

Se han caracterizado capas de óxidos subestequiométricos de silicio (SiOx) y estructuras gruesas de guías de onda mediante elipsometría espectral. Para ello ha sido necesario desarrollar un método de ajuste que permita analizar en detalle espectros complicados de elipsometría, como los obtenidos en estructuras multicapa gruesas (~10 μm) típicas de dispositivos modernos de óptica integrada. La elipsometría es la técnica más adecuada para la caracterización detallada de esas estructuras, pero la extracción mediante ajuste de los parámetros deseados es a menudo impracticable con los métodos usuales. Nuestro método se basa en parametrizar las constantes ópticas desconocidas con funciones spline. El método es aplicable tanto a materiales con una variación suave de las constantes ópticas como a materiales que presenten estructuras agudas debidas a transiciones electrónicas en el rango de energía analizado.

Compartir:

Más artículos