En este trabajo se ha mostrado cómo las técnicas XPS e IGC-ID son complementarias a la hora de evaluar las propiedades superficiales de partículas de SiC. De los cuatro SiC analizados tres de ellos poseen una relación Si/C próxima a la estequiométrica, mientras que en el otro caso dicha relación es de 0.7, indicando un exceso en C superficial. La energía dispersiva γsd de estos materiales presenta valores de 77.5, 64.0, 40.3 y 44.5 para los SiC de 0.7, 1, 7 y 10 micrómetros de tamaño de partícula, siendo inferior para aquel SiC que por XPS presenta la relación Si/C de 0.7. Las constantes ácidas kA poseen valores de 1.01, 0.98, 1.10 y 1.00, a la vez que las constantes básicas kB son de 1.1, 1.0, 0.4 y 1.1, para los SiC de 0.7, 1, 7 y 10 micrómetros, respectivamente. De nuevo se comprueba que el SiC con exceso de C presenta un valor más pequeño de la relación kB/kA indicando que gran parte de los centros activos están bloqueados por carbono.
Relación estructura-propiedades y estudios espectroscópicos de vidrios de óxido BaO-B2O3 que contienen ZnO para aplicaciones ópticas
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